مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی

The High-Frequency Performance of Hetero-MaterialGate CNTFETs with Gate Underlap

عنوان فارسی:

عملکرد فرکانس بالای CNTFETهای گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ

چکیده

برای اولین بار، نوع جدیدی از ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربن (CNTFET)، گیت مواد هترو (ناجور) (HMG) در آندرلپ پیشنهاد و با استفاده از مدل کوانتوم شبیه شده است که بر اساس تابع گرین غیرمتعادل دوبعدی (NFGF) در معادله پواسون می باشد. نتایج شبیه سازی شده نشان می دهند که فرکانس قطع درونی CNTFETهای گیت مواد مجزا (C-CNTFET) به بیش از چند THZ می رسد که 50% بیشتر از FET Siهای بالستیک می باشد. علاوه بر این، عملکرد C-CNTFET ها را در گیت آندرلپ مورد تحقیق و بررسی قرار داده ایم.

تعداد صفحات انگلیسی: 6

تعداد صفحات فارسی: 15

سال مقاله: 2014

فرمت فایل: PDF انگلیسی+ WORD فارسی